Anlage für reaktives Ionenätzen

Anlage für reaktives Ionenätzen
reaktyvusis joninis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ionic etcher vok. Anlage für reaktives Ionenätzen, f rus. установка реактивного ионного травления, f pranc. système de décapage ionique réactif, m

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

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  • Reaktives Ionenätzen — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem …   Deutsch Wikipedia

  • reactive ionic etcher — reaktyvusis joninis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ionic etcher vok. Anlage für reaktives Ionenätzen, f rus. установка реактивного ионного травления, f pranc. système de décapage ionique réactif, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • reaktyvusis joninis ėsdintuvas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ionic etcher vok. Anlage für reaktives Ionenätzen, f rus. установка реактивного ионного травления, f pranc. système de décapage ionique réactif, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • système de décapage ionique réactif — reaktyvusis joninis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ionic etcher vok. Anlage für reaktives Ionenätzen, f rus. установка реактивного ионного травления, f pranc. système de décapage ionique réactif, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • установка реактивного ионного травления — reaktyvusis joninis ėsdintuvas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ionic etcher vok. Anlage für reaktives Ionenätzen, f rus. установка реактивного ионного травления, f pranc. système de décapage ionique réactif, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • RIE — Plasma unterstütztes Ätzen ( physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen eine alternative Strukturierungverfahren zu dem …   Deutsch Wikipedia

  • Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen …   Deutsch Wikipedia

  • Halbleitertechnik — Die Halbleitertechnik definiert sich historisch und aufgrund der Verwendung der Produkte als Schlüsselkomponenten in elektrotechnischen Erzeugnissen als Teilgebiet der Elektrotechnik (speziell der Mikroelektronik). Trifft man die Zuordnung… …   Deutsch Wikipedia

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